全球TMT2019年10月17日讯，新思科技宣布与Arm和三星积极合作，开发以实现新一代ARM®处理器早期采用的解决方案。该设计就绪的解决方案基于新思科技人工智能增强、云就绪的Fusion Design Platform^™以及Arm Artisan^®物理IP和POP^™ IP，并在三星先进的5LPE工艺上通过了认证，将加速新一波半导体芯片的开发，包括高性能计算(HPC)、汽车、5G和人工智能芯片设计。这项合作将帮助客户优化功耗、性能和面积(PPA)，加快上市时间的同时提供全流程的结果品质(QOR)和结果效率(TTR)。

新思科技Fusion设计平台已用于优化实现新的Arm内核。Fusion设计平台集成众多新思科技行业领先的产品，包括：

• 在Fusion Compiler^™设计、Design Compiler^®图形综合和IC Compiler^™ II布局与布线系统中进行7纳米及以下工艺节点的设计实现
• 采用自动密度控制和时序驱动布局获得更高性能
• 采用全流程并发时钟与数据路径(CCD)优化获得更低功耗
• Signoff收敛采用PrimeTime ® 基于PBA的带有功耗收复的ECO，和穷尽性PBA以及StarRC™多工艺角同时提取功能
• 在IC Compiler II中采用RedHawk^™ Analysis Fusion signoff驱动的流程实现电源完整性和可靠性优化设计的早期加速（全球TMT www.tmtnews.tech）